檢索結果:共2筆資料 檢索策略: "GaN-based".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="發光二極體"
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓,利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程,選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN,使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構,在同一…
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本論文首度以矽擴散電流阻擋層的結構實現了能在室溫(Room temperature, RT) 20°C (293K)的環境下,連續波(Continuous wave, CW)操作的氮化鎵垂直共振腔面…